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專利狀態(tài)
量子點圖案化膜及其制備方法、電子傳輸層及量子點電致發(fā)光器件
有效
專利申請進度
申請
2023-11-21
申請公布
2023-12-22
授權(quán)
2024-03-26
預估到期
2043-11-21
專利基礎信息
申請?zhí)?/td> CN202311552559.0 申請日 2023-11-21
申請公布號 CN117276425A 申請公布日 2023-12-22
授權(quán)公布號 CN117276425B 授權(quán)公告日 2024-03-26
分類號 H01L33/00;H01L33/04;H01L33/14;H10K71/20;H10K71/40;H10K50/16;H10K50/115;G03F7/00;G03F7/20
分類 基本電氣元件;
申請人名稱 利亞德光電股份有限公司
申請人地址 北京市海淀區(qū)正紅旗西街9號
專利法律狀態(tài)
  • 2024-03-26
    授權(quán)
    狀態(tài)信息
    授權(quán)
  • 2023-12-22
    公布
    狀態(tài)信息
    公布
摘要
本發(fā)明提供了一種量子點圖案化膜及其制備方法、電子傳輸層及量子點電致發(fā)光器件。該制備方法包括：步驟S1，將量子點前驅(qū)液附著于功能傳輸層基底上，得到具有量子點層的濕膜；步驟S2，將光敏配體附著于預制納米印章的圖案化表面上，得到具有配體層的光敏配體印章；步驟S3，將濕膜的量子點層與光敏配體印章的配體層接觸并進行壓印處理，完成壓印處理隨后去掉印章，得到配體交換量子點膜；以及步驟S4，對配體交換量子點膜依次進行曝光處理和顯影處理，得到量子點圖案化膜。本申請的以上制備方法充分利用了量子點材料表面配體可交換及溶液可壓印賦形的特點，解決了現(xiàn)有技術(shù)中量子點圖案化薄膜的制備工藝存在復雜、生產(chǎn)良率較低的問題。