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專利狀態(tài)
支持大于4GB非線性閃存的方法及裝置
有效
專利申請(qǐng)進(jìn)度
申請(qǐng)
2016-09-28
申請(qǐng)公布
2018-04-03
授權(quán)
2021-08-10
預(yù)估到期
2036-09-28
專利基礎(chǔ)信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610861927.3 申請(qǐng)日 2016-09-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN107870736A 申請(qǐng)公布日 2018-04-03
授權(quán)公布號(hào) CN107870736B 授權(quán)公告日 2021-08-10
分類號(hào) G06F3/06
分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
申請(qǐng)人名稱 龍芯中科技術(shù)股份有限公司
申請(qǐng)人地址 北京市海淀區(qū)中關(guān)村環(huán)保科技示范園龍芯產(chǎn)業(yè)園2號(hào)樓
專利法律狀態(tài)
  • 2021-08-10
    授權(quán)
    狀態(tài)信息
    授權(quán)
  • 2021-02-05
    著錄事項(xiàng)變更
    狀態(tài)信息
    著錄事項(xiàng)變更；IPC(主分類):G06F3/06；變更事項(xiàng):申請(qǐng)人；變更前:龍芯中科技術(shù)有限公司；變更后:龍芯中科技術(shù)股份有限公司；變更事項(xiàng):地址；變更前:100095 北京市海淀區(qū)中關(guān)村環(huán)?？萍际痉秷@龍芯產(chǎn)業(yè)園2號(hào)樓；變更后:100095 北京市海淀區(qū)中關(guān)村環(huán)?？萍际痉秷@龍芯產(chǎn)業(yè)園2號(hào)樓
  • 2018-05-01
    實(shí)質(zhì)審查的生效
    狀態(tài)信息
    實(shí)質(zhì)審查的生效；IPC(主分類):G06F3/06；申請(qǐng)日:20160928
  • 2018-04-03
    公布
    狀態(tài)信息
    公布
摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種支持大于4GB非線性閃存的方法及裝置。該方法包括：將非線性閃存NAND FLASH芯片容量所表示的范圍增大到264字節(jié)，將NAND FLASH芯片的尋址空間擴(kuò)大到264；接收第一指令；根據(jù)第一指令調(diào)用對(duì)應(yīng)的函數(shù)，判斷第一指令讀寫的芯片容量范圍是否大于第一閾值，并判斷第一指令讀寫的地址位數(shù)是否大于第一閾值，第一閾值大于32位；當(dāng)?shù)谝恢噶钭x寫的芯片容量范圍小于等于第一閾值，且第一指令讀寫的地址位數(shù)小于等于第一閾值時(shí)，對(duì)NAND FLASH芯片進(jìn)行訪存。本發(fā)明實(shí)施例使得VxWorks系統(tǒng)能夠支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系統(tǒng)的存儲(chǔ)效率。